Datasheet JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T

N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET R JCS10N60T
主要参数 封装 Package MAIN CHARACTERISTICS ID
VDSS
Rdson（@Vgs=10V）
Qg 9.5 A
600 V
0.75Ω
34 nC 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源 z High 产品特性 FEATURES
z Low gate charge
z Low Crss (typical 20pF )
z Fast switching
z 100% avalanche tested
z Improved dv/dt capability
z RoHS product z 低栅极电荷
z 低 Crss (典型值 20pF)
z 开关速度快
z 产品全部经过雪崩测试
z 高抗 dv/dt 能力
z RoHS 产品 efficiency switch
mode power supplies …