Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon) - 7
| Manufacturer | Infineon |
| Description | 3-Level 1200 V CoolSiC™ Module |
| Pages / Page | 11 / 7 — VorläufigeDaten. PreliminaryData. … |
| Revision | 02_01 |
| File Format / Size | PDF / 675 Kb |
| Document Language | English |
VorläufigeDaten. PreliminaryData. SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA). TransienterWärmewiderstandMOSFET
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F3L11MR12W2M1_B65
VorläufigeDaten PreliminaryData SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) TransienterWärmewiderstandMOSFET reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) transientthermalimpedanceMOSFET
ID=f(VDS) ZthJH=f(t) VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=4,7Ω 240 1 ID, Modul ZthJH : MOSFET ID, Chip 200 160 [A] 120 [K/W] 0,1 D I thJH Z 80 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,028 0,13 0,357 0,145 τi[s]: 0,000974 0,019 0,161 0,618 0 0,01 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,001 0,01 0,1 1 10 VDS [V] t [s]
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE) VGE=15V Tvj=150°C 200 200 Tvj = 25°C VGE = 19 V Tvj = 125°C VGE = 17 V 180 T 180 vj = 150°C VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V 160 160 VGE = 9 V 140 140 120 120 [A] 100 [A] 100 C I C I 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] VCE [V] Datasheet 7 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /
VorläufigeDaten PreliminaryData SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) TransienterWärmewiderstandMOSFET reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) transientthermalimpedanceMOSFET
ID=f(VDS) ZthJH=f(t) VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=4,7Ω 240 1 ID, Modul ZthJH : MOSFET ID, Chip 200 160 [A] 120 [K/W] 0,1 D I thJH Z 80 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,028 0,13 0,357 0,145 τi[s]: 0,000974 0,019 0,161 0,618 0 0,01 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,001 0,01 0,1 1 10 VDS [V] t [s]
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE) VGE=15V Tvj=150°C 200 200 Tvj = 25°C VGE = 19 V Tvj = 125°C VGE = 17 V 180 T 180 vj = 150°C VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V 160 160 VGE = 9 V 140 140 120 120 [A] 100 [A] 100 C I C I 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] VCE [V] Datasheet 7 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /
